等离子刻蚀机（等离子刻蚀机原理）
摘要：
等离子的原理刻蚀原理等离子的原理等离子体是气体分子在真空、放电等特殊场合下产生的独特现象和物质。典型的等离子的组成是，电子、离子、自由基和质子。就好象把固体转变成气体需要能量一样，... 等离子的原理
等离子体是气体分子在真空、放电等特殊场合下产生的独特现象和物质。典型的等离子的组成是，电子、离子、自由基和质子。就好象把固体转变成气体需要能量一样，产生离子体也需要能量。一定量的离子体是由带电粒子和中性粒子（包括原子、离子和自由粒子）混合组成。离子体能够导电，和电磁力起反应。 等离子清洗/刻蚀机产生等离子体的装置是在密封容器中设置两个电极形成电场，用真空泵实现一定的真空度，随着气体愈来愈稀薄，分子间距及分子或离子的自由运动距离也愈来愈长，受电场作用，它们发生碰撞而形成等离子体，这时会发出辉光，故称为辉光放电处理。辉光放电时的气压大小对材料处理效果有很大影响，另外与放电功率，气体成分及流动速度、材料类型等因素有关。 等离子体有一些显著的特征：
1） 气体产生辉光现象，常称为“辉光放电”。由于是真空紫外光，其对蚀刻率有十分积极的影响。
2）气体中包含中性粒子、离子和电子。由于中性粒子和离子温度介于102—103K，电子能量对应的温度高达105K，它们被称为“非平衡等离子体”或“冷等离子体”。但是它们却表现出电中性（准中性）。
3） 气体所产生的自由基和离子活性很高，其能量足以破坏几乎所有的化学键，在任何暴露的表面引起化学反应。等离子体中粒子的能量一般约为几个至几十电子伏特，大于聚合物材料的结合键能(几个至十几电子伏特)，完全可以破裂有机大分子的化学键而形成新键；但远低于高能放射性射线，只涉及材料表面，不影响基体的性能 等离子体可以通过直流或高频交流电场产生。当***用交流时，只能选用电信规定的科研及工业用频段（中频（MF）40KHz、高频（HF）13.56MHz、微波频率（MW）2.45GHz），否则会干扰无线电通信。 -------------优普莱等离子体技术专业从事等离子研发
通常情况下人们认为物质只有三种状态(固态、液态、气态)，其实不然，在一定条件下，物质还有第四种状态——等离子体态。等离子体状态不同于其它物质状态，它突出的一点是由带电粒子组成的电离状态。
根据物质的构成理论，物质的原子、分子或分子团相互以不同的力或键力相结合，构成不同的聚集态。固体是以粒子间结合力强的键构成晶格的，而当其粒子的平均动能大于粒子在晶格中的结合能时，则晶格解体，固体转变为液体。液体的粒子间由结合力较弱的键联系，如果外界进一步供给能量，使这较弱的键破坏，则液体转变为粒子间没有作用键的气体.如果再对气体供给足够的能量，气体就电离成电子和离子，而成为等离子体。
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刻蚀原理
把未被抗蚀剂掩蔽的薄膜层除去，从而在薄膜上得到与抗蚀剂膜上完全相同图形的工艺。
在集成电路制造过程中，经过掩模套准、曝光和显影，在抗蚀剂膜上复印出所需的图形，或者用电子束直接描绘在抗蚀剂膜上产生图形，然后把此图形精确地转移到抗蚀剂下面的介质薄膜（如氧化硅、氮化硅、多晶硅）或金属薄膜（如铝及其合金）上去，制造出所需的薄层图案。
刻蚀就是用化学的、物理的或同时使用化学和物理的方法，有选择地把没有被抗蚀剂掩蔽的那一部分薄膜层除去，从而在薄膜上得到和抗蚀剂膜上完全一致的图形。 刻蚀技术主要分为干法刻蚀与湿法刻蚀。
干法刻蚀主要利用反应气体与等离子体进行刻蚀；湿法刻蚀主要利用化学试剂与被刻蚀材料发生化学反应进行刻蚀。
